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大聯(lián)大友尚集團推出ST新款高性能功率MOSFET

2016/1/5 11:01:51   電源在線網(wǎng)
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    致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出ST MDmesh™ M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600V MDmesh M2 EP。該系列MOSFET能夠為服務器、筆記本電腦、電信設備及消費性電子產(chǎn)品電源提供業(yè)界最高能效的電源解決方案,在低負載條件下的節(jié)能效果特別顯著,讓設計人員能夠開發(fā)更輕、更小的開關(guān)式電源,同時輕松達到日益嚴苛的能效目標要求。

    新款600V MDmesh M2 EP產(chǎn)品整合ST經(jīng)市場驗證的條形布局(strip layout)和全新進化的垂直結(jié)構(gòu)與優(yōu)化的擴散制程(diffusion process),擁有優(yōu)秀的開關(guān)設計,包括極低的導通電阻和關(guān)機開關(guān)損耗,是特別為超頻功率轉(zhuǎn)換器(f> 150 kHz)專門設計,為要求最嚴苛的電源供應器(PSU,Power Supply Unit)的理想選擇。

大聯(lián)大友尚代理的ST600V MDmesh M2 EP照片

圖示1-大聯(lián)大友尚代理的ST600V MDmesh M2 EP照片

    硬開關(guān)和軟開關(guān)電路拓撲均適用,包括諧振拓撲(resonant topologies),例如LLC諧振,新器件的開關(guān)損耗極低,特別是在低負載條件下,低損耗更為明顯。除MDmesh M2產(chǎn)品的閘極電荷(Qg)極低外,M2 EP產(chǎn)品的關(guān)機能耗(Eoff )還可降低20%,而在硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器中,關(guān)機損耗同樣降低20%。在低電流范圍內(nèi)降低Eoff損耗,有助于提高低負載能效,進而協(xié)助電源廠商順利達成日益嚴苛的能效認證要求。

    升級后的關(guān)機波形(turn-off waveforms)可提高諧振轉(zhuǎn)換器的能效、降低噪聲,每周期回收再利用更多電能,而不是以散熱的形式浪費掉。

    新款MDmesh M2 EP系列的主要特性:

    極低的閘極電荷(Qg低至16 nC)

    針對輕負載條件優(yōu)化電容曲線(capacitance profile)

    針對軟件開關(guān)優(yōu)化Vth和Rg參數(shù)

    穩(wěn)健的本體二極管(body diode)

    MDmesh M2 EP系列鎖定需要高能效的電源應用,提供多種封裝選擇(PowerFLAT 5x6 HV、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、I2PAKFP、TO-247),所有產(chǎn)品均已量產(chǎn)。<

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