Vishay最新推出高性能60V TrenchFET 第四代 N溝道功率MOSFET

器件采用PowerPAK® SO-8單體封裝，柵極電荷為52 nC，輸出電荷為68 nC均達到同類產(chǎn)品最佳水平

　　賓夕法尼亞、MALVERN—2019年2月21日—日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款6.15mmx5.15 mmPowerPAK®SO-8單體封裝的60VTrenchFET®第四代n溝道功率MOSFET---SiR626DP。VishaySiliconixSiR626DP專門用于提高功率轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)的效率，導通電阻比前代器件降低36%，同時柵極電荷和輸出電荷達到同類產(chǎn)品最低水平。

　　日前發(fā)布的器件10V條件下最大導通電阻降至1.7m，柵極電荷僅為52nC，輸出電荷為68nC，COSS為992pF。在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，這款MOSFET的柵極電荷與導通電阻乘積和輸出電荷與導通電阻乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)分別比前代器件降低32%和45%。MOSFET的COSS降低69%。

　　SiR626DP改進了技術(shù)規(guī)格，經(jīng)過調(diào)校最大限度降低導通和開關(guān)損耗。器件提高了AC/DC拓撲結(jié)構(gòu)同步整流，隔離式DC/DC拓撲結(jié)構(gòu)原邊和副邊開關(guān)效率，適用于太陽能微型逆變器和通信、服務(wù)器、醫(yī)療設(shè)備電源、電動工具和工業(yè)設(shè)備電機驅(qū)動控制、電池管理模塊的電池切換。

　　MOSFET經(jīng)過100%RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。

　　SiR626DP現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)。產(chǎn)品供貨周期為30周，視市場情況而定。

　　VISHAY簡介

　　VishayIntertechnology,Inc.是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、通信、國防、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。