中國，2019年1月22日 - 意法半導體的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一個快速恢復體二極管，將該公司最新的超結(super-junction)技術的性能優(yōu)勢引入到全橋和半橋拓撲、零電壓開關(ZVS)相移轉(zhuǎn)換器等通常需要一個穩(wěn)定可靠的二極管來處理動態(tài)dV/dt的應用和拓撲結構里。
利用意法半導體先進的載流子壽命控制技術減少反向恢復時間(trr)，最大限度地降低續(xù)流后關斷期間二極管的耗散功率。優(yōu)化的恢復軟度增強了產(chǎn)品可靠性。此外，極低的柵極電荷(Qg)和導通電阻(RDS(ON))以及針對輕負載優(yōu)化的電容曲線，使應用能夠?qū)崿F(xiàn)更高的工作頻率和更高的能效，簡化熱管理設計并降低EMI干擾。
這些新器件非常適用于電動汽車充電樁、電信設備或數(shù)據(jù)中心電源轉(zhuǎn)換器和太陽能逆變器等，更穩(wěn)定的性能和更高的功率密度讓應用設計的電能額定參數(shù)更加優(yōu)異。
系列屬于STPOWER™產(chǎn)品組合，全系共有23款產(chǎn)品，額定輸出電流范圍15A至72A，柵極電荷(Qg) 20nC至117nC，RDS(ON)電阻0.240 Ω至0.036 Ω，采用主流的功率封裝，包括新的低電感無引線TO-LL、PowerFLAT 8x8 HV、D2PAK、TO-220和TO-247，其中TO-247配備短引線、長引線或Kelvin引腳，適合有精密電流檢測需求的應用。
系列現(xiàn)已量產(chǎn)，若想了解價格和索取樣片，請聯(lián)系當?shù)氐囊夥ò雽w辦事處。
詳情訪問www.st.com/stpower。
http:www.toastsoft.com/news/2019-1/2019126112051.html
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