吉林華微電子新型功率半導體器件項目進展公告

　吉林華微電子股份有限公司募集資金使用項目進展情況的公告

　　本公司董事會及全體董事保證本公告內(nèi)容不存在任何虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏，并對其內(nèi)容的真實性、準確性和完整性承擔個別及連帶責任。

　　一、資金募集情況：

　　經(jīng)吉林華微電子股份有限公司（以下簡稱“公司”）2007年第一次臨時股東大會決議批準，并經(jīng)中國證監(jiān)會于2007年11月23日以《關(guān)于核準吉林華微電子股份有限公司非公開發(fā)行股票的通知》（證監(jiān)發(fā)行字[2007]444號）核準，公司于2007年1月7日非公開發(fā)行24,800,000股人民幣普通股。

　　該次非公開發(fā)行所募集之資金總額40,920萬元人民，扣除承銷費、保薦費等發(fā)行費用1,580萬元后，該次發(fā)行實際募集資金凈額為 39,340萬元人民幣。上述募集資金經(jīng)上海眾華滬銀會計師事務(wù)所有限公司以《關(guān)于吉林華微電子股份有限公司驗資報告》（滬眾會字（2007）第2975 號）驗證后，已存放于董事會指定的募集資金存儲專戶。

　　二、募集資金投資項目概述：

　　是次非公開發(fā)行募集資金投資項目為“六英寸新型功率半導體器件項目”（以下簡稱“項目”）。該項目計劃建設(shè)一條六英寸新型功率半導體器件生產(chǎn)線，線寬為0.8～0.5μm，最終達到0.35μm，生產(chǎn)能力為48萬片/年，并預留一定空間，以便將來擴產(chǎn)至72萬片/年。

　　該項目的產(chǎn)品方向為六英寸新型功率半導體器件，主要產(chǎn)品是垂直導電雙擴散MOS功率晶體管（VDMOS）；絕緣柵雙極功率晶體管（IGBT）；功率集成電路（PIC）等三類產(chǎn)品。

　　三、募集資金投資項目進展情況：

　　根據(jù)原定計劃，項目建設(shè)期為1.5年。

　　上述項目的6英寸線設(shè)備已經(jīng)安裝、調(diào)試完畢，并已于2008年11月4日通線并投入試運行。

　　上述生產(chǎn)線的通線及試運行，標志著上述募集資金使用項目已經(jīng)取得實質(zhì)性進展，為本公司“六英寸新型功率半導體器件項目”正式投產(chǎn)，并實現(xiàn)經(jīng)濟效益奠定了堅實的基礎(chǔ)。

　　特此公告。

　　吉林華微電子股份有限公司董事會

　　2008年11月5日