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臺積電擬進(jìn)行新一代傳感器制造

2005/7/11 9:46:49   電源在線網(wǎng)
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  臺積電8日宣布,與美商伊士曼柯達(dá)(Eastman Kodak)簽訂技術(shù)專利授權(quán)合約,取得后者提供的四個晶體管像點架構(gòu)(4T transistor pixel)及鉸接光電二極管像點架構(gòu)(Pinned photo-diode pixel)等技術(shù)專利,進(jìn)行新一代高階互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體影像傳感器(CMOS Image Sensor, CIS)的制造。

  臺積電表示,其去年為全球客戶生產(chǎn)制造的CIS組件數(shù)量,占去年全球CIS總產(chǎn)量的第一位。與伊士曼柯達(dá)公司的技術(shù)專利授權(quán),可確保所有臺積CIS客戶在進(jìn)行新一世代CIS芯片制造時,擁有最具競爭力的平臺,以因應(yīng)數(shù)字相機(jī)及照相手機(jī)等消費型產(chǎn)品的市場快速成長,并可強(qiáng)化臺積公司于此領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

  臺積電表示,伊士曼柯達(dá)希望借著授權(quán)其CIS技術(shù),進(jìn)一步拓展CIS產(chǎn)品的應(yīng)用并加速CIS組件的商業(yè)化步伐。根據(jù)此項合約,伊士曼柯達(dá)公司授權(quán)臺積公司使用其4T 像點架構(gòu)及鉸接光電二極管像點架構(gòu)等關(guān)鍵的CIS技術(shù)專利。這些技術(shù)可提升CIS的影像品質(zhì)、效能及分辨率,使其品質(zhì)可以與最小尺寸光電荷耦合影像感測組件(Charge-coupled Device, CCD)媲美。
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