近日，中車時代電氣半導體與客戶合作再度升級，將有5萬只汽車IGBT模塊裝車運行。此次深化產業合作，將全面推動我國汽車IGBT產品的提升。
IGBT作為新能源汽車電驅動系統的核心功率器件，其性能直接影響電動汽車整車運行性能。由于汽車運行工況復雜，可靠性要求嚴苛，且IGBT技術門檻高，曾長期被德國、日本等國家所壟斷，這對國產汽車IGBT提出了巨大的挑戰。
中車時代電氣半導體自主研發的IGBT模塊產品，采用自產芯片，該芯片為第五代Tmos+技術，結合了溝槽柵+場截止+載流子存儲先進技術，表現出低的導通損耗，軟的開關特性，具有較寬的短路安全工作區(SCSOA)和反向偏置安全工作區(RBSOA)。實際極限測試中，可耐受短路電流超過6倍額定電流，關斷能力超過4倍額定電流。產品批量運用之前，已成功試裝在電動汽車電機控制器中，產品經過實際運營路線考核，性能表現良好，可滿足電動汽車電機控制器極限應用工況的需求。