一談起IGBT，半導體制造的人都以為不就是一個分立器件嘛，有些瞧不上眼。然而它是目前功率電子器件里技術最先進的產品，其應用非常廣泛，小到電磁爐、大到飛機船舶、軌道交通、新能源汽車、智能電網等戰略性產業，被稱為電力電子行業里的“CPU”。
什么是IGBT？
絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。
IGBT的發展
1982年美國RCA公司和GE公司先后發明了IGBT。1985年日本東芝開始了抗閂鎖效應的IGBT商業化生產，1988年美國IR公司推出了系列化的IGBT產品。由于它的開關速度快，且沒有傳輸效率損失，立刻就引起了業界的青睞。在近30年的發展，IGBT產品已經進入第六代、第七代，電壓也從起初的上百伏做到了幾千伏。
根據市場調研機構Yole的報告顯示，全球IGBT市場規模在未來幾年時間將繼續保持穩定的增長勢頭，市場規模至2018年將達到60億美元的數值。 在產品分布上，雖然600~900V的IGBT是目前市場上的主流產品，但伴隨著軌道交通、再生能源、工業控制等行業市場在近幾年內的高速成長，對更高電壓應用的IGBT產品（1200V~6500V）提出了強烈的需求。
2014年全球IGBT市場規模為38.45億美元，預計到2020年市場規模達65億美元，年復合成長為9%
中國 IGBT增長空間非常大， 2014年IGBT的銷售額是88.7億元，約占全球市場的1∕3。預計到2020，中國 IGBT將超180億元，年復合成長率為13%。
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