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安捷倫科技推出Agilent 4075和4076 DC RF脈沖參數測試儀
新聞ID號:  1300 無標題圖片
資訊類型:  新品速遞
所屬類別:  檢測儀器 其他
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發(fā)布時間:  2005/3/22 9:21:46
更新時間:  2005/3/22 9:21:46
審核情況:  已審核開通[2005/3/22 9:21:46]
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  安捷倫科技日前宣布推出Agilent 4075和4076 DC/RF/脈沖參數測試儀,用來鑒定使用高級工藝技術(如65nm技術節(jié)點)制造的器件。通過Agilent 4075和4076,半導體測試工程師可以同時測量RF特點和DC特點,以滿足當前體積日益縮小的多樣化半導體器件需求,如65nm及更高工藝的超薄柵氧化物晶體管、絕緣體上硅(SOI)晶體管和高介電常數(高k)器件。

  Agilent 4075和4076為精確鑒定新的器件結構提供了所需的靈活性,如超薄柵氧化物MOSFET,或通信應用中使用的高速半導體器件。這兩款測試儀支持10ns短脈沖式IV測量,如高速邏輯應用中使用的SOI晶體管和高介電常數晶體管。此外,Agilent 4076支持直到1fA的超低電流測量功能。

  與整個4070系列一樣,Agilent 4075和4076支持行業(yè)標準300mm SECS/GEM自動化協(xié)議,保證制造設備共享一致的界面和行為。

  現(xiàn)代超薄柵MOSFET容易受到電子隧道的影響。為鑒定其電容和電壓(CV)行為特點,測量頻率必需超過幾兆赫。但是,高頻CV (HFCV)及實現(xiàn)鑒定必需的射頻頻率CV (RFCV)測量技術之間相互抵觸。Agilent 4075和4076同時支持HFCV (4294A)儀器和RFCV (ENA/PNA)儀器,使得用戶能夠選擇最佳方法,滿足自己的工藝技術和生產測試需求。

  Agilent 4075和4076都把高速電容測量單元(CMU)集成到測試頭中。這一功能可以在1kHz - 2MHz頻率范圍內,對層間/層內氧化物進行快速電容測量,從而改善吞吐量,降低測試成本。

  安捷倫的這兩款測試儀都支持利用PNA進行RF的S參數測試功能,相對于目前市面上使用VNA的解決方案,以PNA為主的RF解決方案可提供更高的產出速度。此外,Agilent 4076還為生產測試提供了實驗室測試功能。

  Agilent 4075和4076所有的RF、HFCV和超短脈沖式IV測量功能都可以在整個新設計的直接對接接口上使用。這種直接對接的設計可通過自動化的探針卡更換機制,讓使用者輕易地控制和變換探針卡,而且這種RF直接對接的方式也不會減少任何的DC針腳。