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| ·脈沖保護結構 | 
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| ·具有自愈性能 | 
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| ·使用內(nèi)部串聯(lián)聯(lián)接 | 
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| ·極低損耗因素和等效串聯(lián)電阻 | 
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| ·極高的額定電流承載能力 | 
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| ·極高的DV/DT值 | 
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| ·溫度變化對容量影響小 | 
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| ·應用于IGBT模塊電路 資料下載:高頻高壓IGBT吸收RC保電路專用電容器Pdf附件 
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