半導體靜電放電發生器
	
 
  產品詳情
    半導體靜電放電發生器(器件敏感度 ESD-606A)專門為半導體器件抗靜電測試(HBM人體模式和MM機械模式)而設計,通過阻容套件的改變來滿足標準 MIL-STD-883D METHOD3015.7、EIAJED-4701 ConditionB 和 EIAJED-4701 ConditionA 的測試要求。人性化設計、使用方便。
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項 目     MIL-STD-883D/METHOD3015.7 /IEC747-1 EIAJED-4701
輸出          電壓0—8kV
輸出          電壓極性正/負
放電電容      100pF±5%/200pF±5%
放電電阻        1.5kΩ/0 Ω
工作形式        單次/計數
放電次數設定      1~9999
放電間隔        0.1~9.9s
 
 
 
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