CP-PVD系列磁控濺射鍍膜設(shè)備采用先進的in-line產(chǎn)線結(jié)構(gòu)，Twin-Mag孿生陰極磁控濺射技術(shù)，并配以全自動控制系統(tǒng)、先進的真空系統(tǒng)，可在玻璃襯底上鍍制SiO2、ITO、AZO、Al、Ni、Ti等各類絕緣介質(zhì)薄膜、金屬或合金薄膜，并可連續(xù)濺鍍多種不同材質(zhì)的薄膜構(gòu)成復(fù)合多膜層結(jié)構(gòu)，適合大規(guī)模光學(xué)、電學(xué)薄膜的生產(chǎn)，做到一機多用，填補了國內(nèi)空白。
      CP-PVD系列磁控濺射鍍膜設(shè)備是由廣東志成冠軍集團與華中科技大學(xué)機械科學(xué)與工程學(xué)院、東莞華中科技大學(xué)制造工程研究院根據(jù)連續(xù)濺鍍薄膜功能材料的要求聯(lián)合自主研發(fā)而成，具有高能效、高可靠性、低成本的優(yōu)勢。
      本產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于觸摸屏ITO鍍膜、LCD顯示屏ITO鍍膜、薄膜太陽能電池背電極及AZO鍍膜、彩色濾光片鍍膜、電磁屏蔽玻璃鍍膜、AR鍍膜、裝飾鍍膜等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

技術(shù)特點：
（一）產(chǎn)品結(jié)構(gòu)特點
      1）in-line多腔體模塊化結(jié)構(gòu)，鍍膜室、進出片室緩沖隔離處理。
      2）防顆粒立式腔體、小角度傾斜腔體或高穩(wěn)定性臥式腔體，雙端進出，自動回架。
      3）孿生平面靶結(jié)構(gòu)、圓柱靶，可進行雙面濺鍍。
      4）磁流體密封，動態(tài)真空穩(wěn)定性極佳。
      5）磁導(dǎo)流、磁懸浮傳動，運行過程平穩(wěn)可靠。
      6）SUS304不銹鋼腔體材料，內(nèi)壁拋光放氣率低，外壁拋光噴珠美觀耐用。
      7）平移架氣缸自動化平移，與自動平移實現(xiàn)同步連鎖。
      8）真空室之間采用門閥—插板閥隔開，高效隔斷，工藝氣體波動最小化。
（二）C-Mag技術(shù)
      1）基于志成冠軍“C-Mag”技術(shù)，靶材利用率比一般設(shè)備提高10%以上。
      2）基于志成冠軍“C-Mag”技術(shù)，可使設(shè)備稼動率提高到90%以上。
（三）生產(chǎn)工藝特點
      1）RF或離子源預(yù)清洗設(shè)計，高度清潔基材表面，增強膜層附著力。
      2）DC濺射、MF濺射、RF濺射根據(jù)工藝需求可選。
      3）隔離式磁控濺射多靶位，SiO2、ITO等多層膜連續(xù)濺鍍。
      4）膜層均勻性好，可控制在±3%以內(nèi)。
      5）紅外加熱，分段PID溫度控制，溫度誤差控制±3℃。
      6）變頻調(diào)速，生產(chǎn)速率可控。
      7）人機界面，PC+PLC控制，生產(chǎn)過程全自動化，高穩(wěn)定性、高重復(fù)性。
      8）偏壓濺射：在基片上施加偏置電壓，使基片位置相對接地（陽極），真空室處負(fù)電位，吸引部分離子加速流向基片，提高成膜轟擊原子的能量，達到改變膜層性能的目的。可分為直流和脈沖偏壓濺射。
      9）膜厚監(jiān)控和沉積過程由計算機在線控制。
      10）膜厚監(jiān)控和沉積速率由計算機在線控制。
      11）可選增加在線退火處理箱體。

技術(shù)參數(shù)：
      1）極限真空：6×10-4Pa
      2）生產(chǎn)節(jié)拍：40-120s/架（依賴于具體的生產(chǎn)工藝進行定制）
      3）基片尺寸：可定制，可實現(xiàn)同機濺射多種尺寸產(chǎn)品的柔性化設(shè)計
      4）膜層均勻性：±3%
      5）加熱溫度：最大400℃