2×8低噪聲InGaAs／InP APD讀出電路設(shè)計(jì)
上傳時(shí)間：2009/8/18 10:43:58
摘要： 在紅外通信的1 310～1 550 nm波段，高靈敏度探測(cè)材料主要有Ge—APD和InGaAs／InP APD，兩者相比較，InGaAs／InP APD具有更高的量子效率和更低的暗電流噪聲。
In0.53Ga0.47As／InP APD采用在n+-InP襯底上依次匹配外延InP緩沖層、InGaAs吸收層、InGaAsP能隙漸變層、InP電荷層與InP頂層的結(jié)構(gòu)。
APD探測(cè)器的最大缺點(diǎn)是暗電流相對(duì)于信號(hào)增益較大，所以設(shè)計(jì)APD讀出電路的關(guān)鍵是放大輸出弱電流信號(hào)，限制噪聲信號(hào)，提高信噪比。選擇CTIA作為讀出單元，CTIA是采用運(yùn)算放大器作為積分器的運(yùn)放積分模式，比較其他的讀出電路，優(yōu)點(diǎn)是噪聲低、線性好、動(dòng)態(tài)范圍大。
In0.53Ga0.47As／InP APD采用在n+-InP襯底上依次匹配外延InP緩沖層、InGaAs吸收層、InGaAsP能隙漸變層、InP電荷層與InP頂層的結(jié)構(gòu)。
APD探測(cè)器的最大缺點(diǎn)是暗電流相對(duì)于信號(hào)增益較大，所以設(shè)計(jì)APD讀出電路的關(guān)鍵是放大輸出弱電流信號(hào)，限制噪聲信號(hào)，提高信噪比。選擇CTIA作為讀出單元，CTIA是采用運(yùn)算放大器作為積分器的運(yùn)放積分模式，比較其他的讀出電路，優(yōu)點(diǎn)是噪聲低、線性好、動(dòng)態(tài)范圍大。
說明：本站會(huì)員正確輸入用戶名和密碼進(jìn)行登錄系統(tǒng)后才能查看文章詳細(xì)內(nèi)容和參與評(píng)論。
－－本文摘自C114中國(guó)通信網(wǎng)，已被閱讀2008次
免責(zé)聲明：本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn)，與電源在線網(wǎng)無關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí)，對(duì)本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時(shí)性本站不作任何保證或承諾，請(qǐng)讀者僅作參考，并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。
：0755-82905460 郵箱 
：
↑上一篇：用電源自動(dòng)投入和系統(tǒng)自動(dòng)恢復(fù)裝置的研究和實(shí)現(xiàn) ↓下一篇：精確送風(fēng)奠定機(jī)房節(jié)能基礎(chǔ)
打印本頁 關(guān)閉本頁
打印本頁 關(guān)閉本頁
關(guān)于本文的網(wǎng)友評(píng)論：
本文暫時(shí)還沒有網(wǎng)友發(fā)表評(píng)論信息！
文章檢索