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安森美半導體的NCP51820高速氮化鎵(GaN)門極驅(qū)動器 在中國獲2019年度“Top 10電源產(chǎn)品獎”
2019年9月10日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，今日宣布其NCP51820高速門極驅(qū)動器獲21IC中國電子網(wǎng)選為2019年度 “Top 10電源產(chǎn)品獎”。該年度獎項是中國備受認同的確定10大最具開創(chuàng)性的設計及技術有顯著進步的電源產(chǎn)品的行業(yè)基準之一。
安森美半導體的NCP51820是技術先進的方案，專為滿足驅(qū)動離線、半橋電源拓撲中增強型GaN器件的嚴格要求而設計。
該獲獎器件提供許多獨特的特性，包括針對GaN優(yōu)化的調(diào)節(jié)門極驅(qū)動輸出電壓和用于EMI噪聲調(diào)節(jié)的單獨的源極和汲極引腳。該驅(qū)動器提供少于25 ns的短的傳輸延遲，先進的電平移位技術使-3.5 V至+650 V (典型)共模電壓范圍用于高邊驅(qū)動，-3.5 V 至 +3.5 V共模電壓范圍用于低邊驅(qū)動。此外，該器件還支持驅(qū)動器兩個輸出級穩(wěn)定的dV/dt運行達200 V/ns，確保在高速開關應用中的強固性能。
GaN技術有潛力提供更低的開關損耗和更高的功率密度，但實現(xiàn)這些好處取決于有針對GaN優(yōu)化的、具有強固保護特性的門極驅(qū)動電路。為了充分保護GaN功率晶體管的門極免受過壓應力的影響，NCP51820的兩個驅(qū)動級都采用專用的穩(wěn)壓器以精確保持柵源驅(qū)動信號的幅值。安森美半導體的NCP51820還提供重要的保護功能，如獨立的欠壓鎖定(UVLO)、監(jiān)測器件工作電壓(VDD)的偏置電壓和高壓供電端(VDDH)及低壓供電端(VDDL)驅(qū)動偏置，以及基于器件裸片結(jié)溫的熱關斷。
安森美半導體市場營銷與應用總監(jiān)Ryan Zhan說：“我們很自豪獲21IC中國電子網(wǎng)評委認可我司NCP51820的先進和獨特特性。 由于能源成本上升和可用空間有限，對更小尺寸、更高能效的電源方案需求持續(xù)增長。 我們的NCP51820突破了傳統(tǒng)的隔離半橋門極驅(qū)動器的限制，并集成優(yōu)化了GaN門極驅(qū)動器，以實現(xiàn)基于GaN的最簡單、最具性價比的方案。”
安森美半導體的NCP51820是技術先進的方案，專為滿足驅(qū)動離線、半橋電源拓撲中增強型GaN器件的嚴格要求而設計。
該獲獎器件提供許多獨特的特性，包括針對GaN優(yōu)化的調(diào)節(jié)門極驅(qū)動輸出電壓和用于EMI噪聲調(diào)節(jié)的單獨的源極和汲極引腳。該驅(qū)動器提供少于25 ns的短的傳輸延遲，先進的電平移位技術使-3.5 V至+650 V (典型)共模電壓范圍用于高邊驅(qū)動，-3.5 V 至 +3.5 V共模電壓范圍用于低邊驅(qū)動。此外，該器件還支持驅(qū)動器兩個輸出級穩(wěn)定的dV/dt運行達200 V/ns，確保在高速開關應用中的強固性能。
GaN技術有潛力提供更低的開關損耗和更高的功率密度，但實現(xiàn)這些好處取決于有針對GaN優(yōu)化的、具有強固保護特性的門極驅(qū)動電路。為了充分保護GaN功率晶體管的門極免受過壓應力的影響，NCP51820的兩個驅(qū)動級都采用專用的穩(wěn)壓器以精確保持柵源驅(qū)動信號的幅值。安森美半導體的NCP51820還提供重要的保護功能，如獨立的欠壓鎖定(UVLO)、監(jiān)測器件工作電壓(VDD)的偏置電壓和高壓供電端(VDDH)及低壓供電端(VDDL)驅(qū)動偏置，以及基于器件裸片結(jié)溫的熱關斷。
安森美半導體市場營銷與應用總監(jiān)Ryan Zhan說：“我們很自豪獲21IC中國電子網(wǎng)評委認可我司NCP51820的先進和獨特特性。 由于能源成本上升和可用空間有限，對更小尺寸、更高能效的電源方案需求持續(xù)增長。 我們的NCP51820突破了傳統(tǒng)的隔離半橋門極驅(qū)動器的限制，并集成優(yōu)化了GaN門極驅(qū)動器，以實現(xiàn)基于GaN的最簡單、最具性價比的方案。”
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http:www.toastsoft.com/news/2019-9/2019916104947.html
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