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ST降低車用功率場(chǎng)效應(yīng)MOS晶體管電阻

　　意法半導(dǎo)體日前針對(duì)汽車市場(chǎng)推出一個(gè)新的大電流功率場(chǎng)效應(yīng)MOS晶體管，該產(chǎn)品采用ST最新優(yōu)化的 STripFET™ 專利技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了最低的導(dǎo)通電阻。 新產(chǎn)品 STD95N04 是一個(gè)40V的標(biāo)準(zhǔn)電平的DPAK產(chǎn)品，最大導(dǎo)通電阻RDS(on)6.5毫歐。　

　　這個(gè)80A的產(chǎn)品是專門為DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、電磁閥驅(qū)動(dòng)器和ABS（防抱死制動(dòng)系統(tǒng)）設(shè)計(jì)的。與采用傳統(tǒng)的溝道技術(shù)制造的產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品在價(jià)格和導(dǎo)通電阻性能上極具競(jìng)爭(zhēng)力。新產(chǎn)品的典型RDS(on)在5毫歐區(qū)間內(nèi)，能夠滿足標(biāo)準(zhǔn)閾壓的驅(qū)動(dòng)要求。

　　STD95N04符合汽車電工理事會(huì)（AEC）組件技術(shù)委員會(huì)針對(duì)汽車環(huán)境用組件制定的AEC Q101分立器件應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。該組件最大工作溫度175℃ ，100%通過(guò)雪崩測(cè)試。

　　ST新的STripFET技術(shù)以密度大幅度提高的單元為基礎(chǔ)，導(dǎo)通電阻和功耗比上一代技術(shù)更低，占用的硅片面積更少。正在開(kāi)發(fā)的其它的功率場(chǎng)效應(yīng)MOS晶體管將采用相同的技術(shù)，以滿足DPAK (30V, 邏輯電平, 典型導(dǎo)通電阻在4.5V時(shí)等于4.5毫歐 ) 和 D2PAK (40V,標(biāo)準(zhǔn)電平, 典型導(dǎo)通電阻在10V時(shí)等于2.0毫歐) 的需求。

　　采用DPAK和TO-220封裝的STD95N04現(xiàn)已投入量產(chǎn)。 訂購(gòu)10,000件，單價(jià)0.38美元。

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