近日，中國南車公司表示，公司下屬的株洲所舉辦的“高壓高功率密度IGBT芯片及其模塊研究開發(fā)”項目鑒定會上，研制的國內(nèi)唯一一款最大電壓等級、最高功率密度的6500V高壓IGBT芯片及其模塊首次向外界亮相，該項目代表我國功率半導(dǎo)體器件行業(yè)IGBT技術(shù)的最高水平。
中國南車株洲所IGBT事業(yè)部總經(jīng)理劉國友透露，中國南車株洲所在IGBT項目上總投資超過20億元，目前該公司有近百位來自全球的頂尖專家從事IGBT器件芯片及模塊技術(shù)的研發(fā)，在IBGT芯片設(shè)計、封裝測試、可靠性試驗、系統(tǒng)應(yīng)用上攻克了30多項難題，掌握該器件的成套技術(shù)，并在IGBT的規(guī)模化、專業(yè)化生產(chǎn)上形成完整的工藝體系，產(chǎn)品在國內(nèi)軌道交通、柔性直流輸電以及礦冶領(lǐng)域得到批量應(yīng)用，項目已申報專利20項，獲得授權(quán)發(fā)明專利2項，實用新型專利2項。<
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本文鏈接：中國南車擬大力開發(fā)半導(dǎo)體IGBT項目
http:www.toastsoft.com/news/2014-3/2014321161254.html
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