研發(fā)滯后導致國內(nèi)功率半導體產(chǎn)業(yè)處于發(fā)展劣勢

    電子產(chǎn)品離不開電能，而其電能使用更離不開功率半導體技術(shù)。功率半導體的目的是使電能更高效、更節(jié)能、更環(huán)保、更便捷。

    但長期以來，功率半導體器件的作用在國內(nèi)沒有引起人們足夠的重視，國內(nèi)功率半導體行業(yè)一直處于小、散狀態(tài)。相較于TI、Infineon已開始在12英寸晶園上生產(chǎn)功率半導體產(chǎn)品，國內(nèi)目前還沒有一家功率半導體IDM企業(yè)擁有8英寸生產(chǎn)線。大部分IDM企業(yè)仍以硅基二極管、三極管和晶閘管為主，像MOS器件、IGBT等這些國際主流產(chǎn)品，在近年才有所涉及。因此，順應市場需求開發(fā)前端性功率半導體產(chǎn)品將是國內(nèi)產(chǎn)業(yè)努力的主要方向。

    然而，當前國內(nèi)功率半導體產(chǎn)品的研發(fā)與國際大公司相比，還存在很大差距，特別是高端器件差距更加明顯。以IGBT為例，核心技術(shù)均掌握在發(fā)達國家企業(yè)手中，IGBT技術(shù)集成度高的特點又導致了較高的市場集中度。跟國內(nèi)廠商相比，英飛凌、三菱電機、富士電機和日立等國際廠商占有絕對的市場優(yōu)勢。

    形成這種局面的原因，一是國際廠商起步早，研發(fā)投入大，尤其是在傳統(tǒng)的硅基半導體領域形成了專利壁壘；二是國外高端制造業(yè)水平比國內(nèi)要高很多，一定程度上支撐了國際廠商的技術(shù)優(yōu)勢。

    中國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須改變目前技術(shù)處于劣勢的局面，特別是要在產(chǎn)業(yè)鏈上游層面取得突破，改變目前功率器件領域封裝強于芯片的現(xiàn)狀�？傮w來看，當前功率半導體的技術(shù)發(fā)展方向是：（1）碳化硅芯片的采用；（2）功率半導體里面搭載的各種功能；（3）在封裝技術(shù)上，通過摒棄了綁定線，使功率半導體的壽命更長、穩(wěn)定性更好、功率密度更大。

    功率半導體是最適合中國發(fā)展的半導體產(chǎn)業(yè)，相對于超大規(guī)模集成電路而言，其資金投入較低、產(chǎn)品周期較長、市場關聯(lián)度更高，且還沒有形成如英特爾和三星那樣的壟斷企業(yè)（全球規(guī)�；�功率半導體企業(yè)超過100家，前10大功率半導體企業(yè)銷售額只占全球份額的50%）。但中國功率半導體的發(fā)展必須改變目前封裝強于芯片、芯片強于設計的局面，應加強與整機企業(yè)的聯(lián)動，大力發(fā)展設計技術(shù)，以市場帶動設計、以設計促進芯片、以芯片壯大產(chǎn)業(yè)。

    功率半導體芯片不同于以數(shù)字集成電路為基礎的超大規(guī)模集成電路，功率半導體芯片屬于模擬器件的范疇。功率器件和功率集成電路的設計與工藝制造密切相關，因此國際上著名的功率器件和功率集成電路提供商均屬于IDM企業(yè)。國內(nèi)功率半導體企業(yè)（包括代工企業(yè)）在提升工藝水平的同時，應加強與系統(tǒng)廠商的合作，不斷提高國內(nèi)功率半導體技術(shù)的創(chuàng)新力度和產(chǎn)品性能，以滿足高端市場的需求，促進功率半導體市場的健康發(fā)展。<