近日，2016年國家重點研發(fā)計劃戰(zhàn)略性先進電子材料重點專項——“第三代半導體固態(tài)紫外光源材料及器件關鍵技術”項目啟動會在北京中國科學院半導體研究所召開。項目牽頭單位中國科學院半導體研究所相關領導、項目負責人、課題負責人及參與單位代表、項目咨詢專家、科技部高技術中心相關人員等出席了會議。
“第三代半導體固態(tài)紫外光源材料及器件關鍵技術”項目旨在面向水凈化、空氣凈化及生物等應用，以提升第三代半導體紫外光源材料質(zhì)量和量子效率為目標，突破深紫外LED、紫外LD材料和器件關鍵技術，最終實現(xiàn)高量子效率深紫外LED光源，開發(fā)出3-5種市場化深紫外光源應用產(chǎn)品，解決深紫外器件測試和產(chǎn)品標準缺失的現(xiàn)狀；研制出高質(zhì)量紫外激光器，實現(xiàn)UVB激光器電注入激射。<
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文章標簽： 半導體固態(tài)紫外光源材料/器件關鍵技術
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