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<P> 2019年5月19日,中國-服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(納斯達克股票代碼:MTSI,以下簡稱“MACOM”)宣布,射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于這一成果,意法半導體和MACOM將繼續(xù)攜手,深化合作。</P> <P> 射頻硅基氮化鎵可為5G和6G移動基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用帶來巨大的發(fā)展?jié)摿Α3醮漕l功率放大器(PA)主要是采用存在已久的橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)射頻功率技術(shù),而GaN(氮化鎵)可以給這些射頻功率放大器帶來更好的射頻特性和更高的輸出功率。此外,雖然GaN既可以在硅片上制造,也可以在碳化硅(SiC)晶圓上制造,但射頻碳化硅基氮化鎵(RF GaN-on-SiC)終究不是一種主流半導體制造工藝,且還要考慮和高功率應(yīng)用爭奪SiC晶圓,這些都可能會導致其成本更加昂貴。而意法半導體和MACOM正在開發(fā)的射頻硅基氮化鎵技術(shù)可以集成到標準半導體工業(yè)中,在實現(xiàn)具有競爭力的性能的同時,也有望帶來巨大的規(guī)模經(jīng)濟效益。</P> <P> 意法半導體制造的射頻硅基氮化鎵原型晶圓和相關(guān)器件已達到成本和性能目標,完全能夠與市場上現(xiàn)有的LDMOS和GaN-on-SiC技術(shù)展開有效競爭,F(xiàn)在,這些原型即將進入下一個重要階段——認證測試和量產(chǎn)。意法半導體計劃將在2022年實現(xiàn)這一新的里程碑。為取得這一進展,意法半導體和MACOM已著手研究如何加大投入力度,以加快先進的射頻硅基氮化鎵產(chǎn)品上市。</P> <P> 意法半導體功率晶體管子產(chǎn)品部總經(jīng)理兼執(zhí)行副總裁Edoardo Merli表示:“我們相信,這項技術(shù)的性能水平和工藝成熟度現(xiàn)已達到可以挑戰(zhàn)現(xiàn)有的LDMOS和射頻GaN-on-SiC的程度。我們可以為無線基礎(chǔ)設(shè)施等大規(guī)模應(yīng)用帶來成本效益和供應(yīng)鏈優(yōu)勢。射頻硅基氮化鎵產(chǎn)品的商業(yè)化是我們與MACOM合作的下一個重要目標,隨著合作項目不斷取得進展,我們期待著釋放這一激動人心的技術(shù)的全部潛力。”</P> <P> MACOM總裁兼首席執(zhí)行官Stephen G.Daly表示:“我們推進硅基氮化鎵技術(shù)商業(yè)化和量產(chǎn)工作繼續(xù)取得良好進展。我們與意法半導體的合作是我們射頻功率戰(zhàn)略的重要組成部分,相信我們可以在硅基氮化鎵技術(shù)可以發(fā)揮優(yōu)勢的目標應(yīng)用領(lǐng)域贏得市場份額!</P>