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其他
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<P> 2022年4月7日,中國——意法半導體VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關反激式功率變換器設計,并集成一個650V氮化鎵(GaN)功率晶體管,使電源的能效和小型化達到更高水平。</P> <P> VIPerGaN50采用單開關拓撲,集成很多功能,包括內(nèi)置電流采樣和保護電路,采用低成本的5mm x 6mm緊湊封裝。芯片內(nèi)部集成的GaN晶體管可應用于高開關頻率,從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產(chǎn)品設計先進的高能效開關電源(SMPS),可顯著減少外圍元器件的數(shù)量。</P> <P align=center><IMG style="WIDTH: 329px; HEIGHT: 235px" border=0 src="/uploadfile/newspic/20220412171027815.jpg" width=631 height=332></P> <P> VIPerGaN50可幫助設計人員利用GaN寬禁帶技術來滿足日益嚴格的生態(tài)設計規(guī)范,在全球?qū)崿F(xiàn)節(jié)能降耗和凈零碳排放。目標應用包括消費電源和工業(yè)電源,例如,電源適配器、USB-PD充電器,以及家用電器、空調(diào)、LED照明設備和智能儀表的電源。</P> <P> 該變換器有多種不同的工作模式,在所有輸入電壓和負載條件下,可最大限度提高電源能效。在高負載下,準諧振(QR)模式配合零壓開關可最大限度地減少導通損耗和電磁輻射(EMI)。在輕負載下,跳谷底模式可以控制開關損耗,并利用意法半導體專有的谷底鎖定技術防止產(chǎn)生人耳可以聽到的噪聲。頻率折返模式配合零壓開關可確保在輕負載條件下實現(xiàn)盡可能高的能效。自適應間歇工作模式可以在極低負載條件下最大程度降低功率損耗。此外,先進的電源管理功能可將待機功率降至30mW以下。</P> <P> 芯片內(nèi)置功能確保電源的安全性和可靠性,包括輸出過壓保護、brown-in/brown-out,以及輸入過壓保護。還提供輸入電壓前饋補償,以最大限度地減少輸出峰值功率變化。其他安全功能包括嵌入式過溫保護和最大限度地減少EMI的頻率抖動功能。</P> <P> VIPerGaN50現(xiàn)已投產(chǎn),采用5mm x 6mm QFN封裝。該器件有免費樣片,可在意法半導體的網(wǎng)上商城eSTore上申購。</P>